一、TCSAW 對(duì)于聲表面波器件來(lái)說(shuō),對(duì)溫度非常敏感。

在較高溫度下,襯底材料的硬度易于下降,聲波速度也因此下降。由于保護(hù)頻帶越來(lái)越窄,并且消費(fèi)設(shè)備的指定工作溫度范圍較大(通常為℃至℃),因此這種局限性的影響越來(lái)越嚴(yán)重。 一種替代方法是使用溫度補(bǔ)償(TCSAW)濾波器,它是在IDT的結(jié)構(gòu)上另涂覆一層在溫度升高時(shí)剛度會(huì)加強(qiáng)的涂層。溫度未補(bǔ)償SAW器件的頻率溫度系數(shù)(TCF)通常約為ppm/℃,而TCSAW濾波器則降至到ppm/℃。但由于溫度補(bǔ)償工藝需要加倍的掩模層,所以,TCSAW濾波器更復(fù)雜、制造成本也相對(duì)更高。 目前TCSAW技術(shù)越來(lái)越成熟,國(guó)外大廠基本都有推出相應(yīng)產(chǎn)品,在手機(jī)射頻前端取得不少應(yīng)用,而國(guó)內(nèi)的工藝仍需要摸索。 二、高頻SAW 普通SAW基本上是GHz以下,村田開發(fā)出克服以往聲表面波弱點(diǎn)的 I.H.P.SAW(Incredible High PerformanceSAW)。村田意將SAW技術(shù)發(fā)揮到完美(GHz以下),目前量產(chǎn)的頻率可達(dá).GHz。 圖I.H.P.SAW的基本結(jié)構(gòu) I.H.P.SAW可以實(shí)現(xiàn)與BAW相同或高于BAW的特性,并兼具了BAW的溫度特性、高散熱性的優(yōu)點(diǎn),具體如下: () 高Q值:在.GHz頻帶上的諧振器試制結(jié)果顯示,其Q值特性的峰值超過(guò)了,比以往Qmax為左右的SAW得到了大幅度的改善。 ()低TCF:它通過(guò)同時(shí)控制線膨脹系數(shù)和聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)良好的溫度特性。以往SAW的TCF轉(zhuǎn)換量非常大(約為ppm/℃),而 I.H.P.SAW可將其改善至±ppm/℃以下。 ()高散熱性:向RF濾波器輸入大功率信號(hào)后IDT會(huì)產(chǎn)生熱量,輸入更大功率則可能因IDT發(fā)熱而破壞電極,從而導(dǎo)致故障。 I.H.P.SAW可將電極產(chǎn)生的熱量效能高地從基板一側(cè)散發(fā)出去,可將通電時(shí)的溫度上升幅度降至以往SAW的一半以下。低TCF和高散熱性兩種效果,使其在高溫下也能穩(wěn)定工作。 三、新型體聲波濾波器 目前市面上的體聲波濾波器基本上基于多晶薄膜工藝。而初創(chuàng)公司Akoustis Technologies, Inc.發(fā)明的Bulk ONE? BAW技術(shù)是采用單晶AlNonSiC諧振器,據(jù)稱性能能夠提升%。 圖單晶硅BAW技術(shù)針對(duì)高頻應(yīng)用 Akoustis技術(shù)公司(前稱為Danlax,Corp.)是根據(jù)美國(guó)內(nèi)華達(dá)州法律于年月日注冊(cè)成立,總部設(shè)在北卡羅來(lái)納州的亨茨維爾。年月日,公司更名為Akoustis技術(shù)公司。年月,登陸納斯達(dá)克。 目前Akoustis已經(jīng)宣布推出了三款商用濾波器產(chǎn)品:其中一款是用于三頻WiFi路由器應(yīng)用的商用. GHz BAW RF濾波器;第二款是針對(duì)雷達(dá)應(yīng)用的. GHz BAW RF濾波器;第三款A(yù)KF 是針對(duì)未來(lái)G LTE和G移動(dòng)設(shè)備. GHzBAW RF濾波器 四、封裝微型化 濾波器的封裝微型化主要是指的是采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)。 Qorvo的CuFlig互聯(lián)技術(shù)使用銅柱凸點(diǎn)代替線焊。晶圓級(jí)封裝濾波器取消了陶瓷封裝,可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小,設(shè)備更輕薄。 圖CuFlip技術(shù)相對(duì)于線焊的比較優(yōu)勢(shì) RF公司DSSP(DieSized SAW Packaging,裸片級(jí)聲表封裝)和TFAP技術(shù)(ThinFilm Acoustic Packaging,薄膜聲學(xué)封裝技術(shù)),實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品微型化,并可提供in,甚至in的濾波器模組。 不同產(chǎn)品類別的新的標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸:雙工器.mm*.mm,in濾波器:.mm*.mm,單一濾波器:.mm*.mm。 圖RF聲表濾波器、雙工器和多工器的微型化 圖 DSSP封裝圖解 圖 采用TFAP技術(shù)的BAW濾波器 五、射頻前端集成化模塊化 國(guó)際大廠一直致力于射頻前端的集成化及模塊化,比如高通RF方案;Murata將濾波器、RF開關(guān)、匹配電路等一體化的模塊;Qorvo RF Fusion解決方案等。 高通POPD設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的D封裝技術(shù),單一封裝內(nèi)集成了單芯片多模功率放大器和天線開關(guān)(AS),并將濾波器和雙工器集成到一個(gè)單一基底中,然后將基底置于基礎(chǔ)組件之上,整合成一個(gè)單一的“D”芯片組組合,從而降低了整體的復(fù)雜性,摒棄了當(dāng)今射頻前端模塊中常見的引線接合。 圖高通射頻POP D設(shè)計(jì)CMOS前端 Qorvo RFFusion解決方案包含三種模塊化解決方案,實(shí)現(xiàn)高、中、低頻段頻譜區(qū)域全覆蓋。各模塊都集成了功率放大器 (PA)、開關(guān)和濾波器。 圖 Qorvo 多模塊組成的 RF Fusion解決方案 伊萊專業(yè)致力于濾波器、電抗器、變壓器的研發(fā)及制造,并提供諧波治理、無(wú)功補(bǔ)償、電磁干擾等電能質(zhì)量一體化解決方案。**提供電磁兼容設(shè)計(jì)整改技術(shù)咨詢,主營(yíng)各種型號(hào)電源端口和抗干擾遏制的濾波防護(hù)組件。伊萊也是年出名濾波器廠家之一,十分注重技術(shù)開發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新,在用戶中一直享有較高聲譽(yù)。 (文章來(lái)源于網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者,侵刪)
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